次々世代のトランジスタ「シーケンシャルCFET」でシリコンの限界を突破（前編）

今回と次回は「シーケンシャル（Sequential）CFET」の重要な特徴である、ボトム側とトップ側で異なるトランジスタ材料が選べることの利点と、実際にCFETを試作した事例を解説する。