SiC-MOSFETの性能が6～80倍に、トレンチ型に応用可能

京都大学 大学院 工学研究科の木本恒暢教授、立木馨大博士後期課程学生らのグループは2021年10月27日、SiC半導体の課題である界面の欠陥を大幅に削減し、SiC-MOSFETの性能を6～80倍に向上することに成功したと発表した。