産総研ら、SiCウエハーの高速研磨技術を開発

産業技術総合研究所（産総研）は、パワー半導体用大口径SiC（炭化ケイ素）ウエハーの高速研磨技術を、ミズホや不二越機械工業と共同開発した。従来に比べ鏡面研磨を12倍の速度で行えるため、加工時間を大幅に短縮することが可能となる。