東京工大ら、SOT-MRAM素子の原理動作実証に成功

東京工業大学と米国カリフォルニア大学ロサンゼルス校を中心とした国際研究チームは、トポロジカル絶縁体と磁気トンネル接合（MTJ）を集積したスピン軌道トルク磁気抵抗メモリ（SOT-MRAM）素子を試作し、読み出しと書き込みの原理動作を実証した。