低消費電力で高速、混載メモリ用STT-MRAMの書き換え技術を開発

ルネサス エレクトロニクスは、STT-MRAMのデータを低消費電力かつ高速で書き換えられる技術を開発した。試作チップの測定では、書き換えエネルギーを72％低減し、電圧印加時間を50％削減した。