インフィニオン、パナと第2世代GaNパワー半導体を共同開発へ

Infineon Technologies（以下、Infineon）とパナソニックは2021年9月2日（ドイツ時間）、窒化ガリウム（GaN）パワー半導体の第2世代（Gen2）を共同開発／製造する契約を締結したと発表した。Gen2は650VのGaN HEMTとして開発。2023年前半に市場投入予定だ。