ハイブリッド型トランジスタ、GaNとSiCを一体化

産業技術総合研究所（産総研）は、GaNを用いたトランジスタとSiCを用いたPNダイオードをモノリシックに集積したハイブリッド型トランジスタを作製し、動作実証に成功したと発表した。GaNとSiCの特長である、低オン抵抗と非破壊降伏の両立を可能とした。