ソニーの裏面照射型CMOSセンサーが「3階建て」に、飽和信号量2倍でDR拡大

ソニーセミコンダクタソリューションズは「世界初」（同社）の2層トランジスタ画素積層型CMOSイメージセンサー技術を開発した。光を電気信号に変換するフォトダイオードと信号を制御するための画素トランジスタの層を別々の基板に形成し積層することで、従来の裏面照射型CMOSイメージセンサーと比べて約2倍の飽和信号量を確保した。