GaN FET向けハーフブリッジゲートドライバIC

STマイクロエレクトロニクスは、エンハンスメント型GaN（窒化ガリウム）FETの高周波スイッチングを実現するハーフブリッジゲートドライバ「STDRIVEG600」を発表した。最大6Vのゲートソース間電圧をGaNパワーデバイスに印加できる。ハイサイド回路は最大600V耐圧で、500Vまでの高電圧アプリケーションに利用可能だ。