STマイクロエレクトロニクスは2021年12月21日、EV（電気自動車）や産業機器向けに第3世代SiCパワーMOSFETを発表した。650V／750V／1200V耐圧の製品を提供する予定となっており、まずは650V耐圧品の「SCT040H65G3AG」を5.00ドルで発売する。
同製品は、トランジスタ効率や電力密度に加えて、スイッチング性能を表す「オン抵抗（Ron）×チップサイズ」、「Ron×ゲート電荷（Qg）」に優れる。
EVのトラクションインバータやオンボードチャージャー、DC-DCコンバータ、カーエアコン用コンプレッサといったハイエンドな車載用途に最適化された。また、モータードライブや再生可能エネルギーシステム、通信およびデータセンター用電源といった産業用途にも適する。
ベアダイに加えてディスクリートパッケージ、パワーモジュールなど多様なパッケージをラインアップに揃えた。第3世代SiCプラットフォームの品質認定を完了しており、多くの製品が2021年内に量産レベルに達する見込みとなっている。SCT040H65G3AGに続いて、750V耐圧のベアダイ品を提供する。
STマイクロエレクトロニクスは、SiC製品の2024年売上高10億ドルを目標に掲げており、今後も自動車および産業分野に向けたSiC製品の開発／生産に積極的に投資する。
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