MTJ素子の障壁材料に二次元物質を利用、1000％のTMR比を確認

東北大学はケンブリッジ大学と共同で、強磁性トンネル接合（MTJ）素子の障壁材料に、二次元物質の六方晶窒化ホウ素（h-BN）を用いると、界面垂直磁気異方性が強化されることを発見した。また、極めて高いTMR（トンネル磁気抵抗）比が現れることも明らかにした。