産総研、MRAMの磁気安定性を飛躍的に改善

産業技術総合研究所（産総研）は、原子層レベルで制御されたタンタル（Ta）を下地に用いることで、磁気抵抗メモリ（MRAM）の磁気安定性を飛躍的に改善する技術を開発した。