GaN FET向けハーフブリッジゲートドライバIC

STマイクロエレクトロニクスは、エンハンスメント型GaN(窒化ガリウム)FETの高周波スイッチングを実現するハーフブリッジゲートドライバ「STDRIVEG600」を発表した。最大6Vのゲートソース間電圧をGaNパワーデバイスに印加できる。ハイサイド回路は最大600V耐圧で、500Vまでの高電圧アプリケーションに利用可能だ。…

PR: プロセッサ級の計算能力を備えた高速マイコンが登場、エッジ処理の実現がさらに容易に

リアルタイム制御や産業用ネットワークのサポート、高性能処理、セキュリティなど、スマート工場や自動運転に必要とされる性能を、1チップで実現するマイコンが登場した。Texas Instrumentsは、マイコン設計のシンプルさとプロセッサレベルの処理性能を併せ持つ「Sitara AM2x」によって、マイコンの性能を“再定義”する。…