EE Times Japan 最新記事一覧

IoT（モノのインターネット）デバイスの普及が急激に進んでいる。その数は過去最高に達し、データ盗用や操作の乗っ取りを狙った攻撃の増加をわずかに上回っているという。その一方で、民生機器メーカーは現在も、自社製品の脆弱性に関するレポートを提出したがらない傾向にある。EE Timesは、1年半ほど前にこの問題を取り上げているが、それ以降もレポートの数は伸び悩んでいるようだ。…

ベルギーの研究機関であるimecの研究チームは、GaN（窒化ガリウム）パワーICを次のレベルに引き上げ、スマートパワープラットフォーム上にショットキーバリアダイオード（SBD）とHEMT（高電子移動度トランジスタ）を統合したと発表した。…

加賀FEIは2021年1月5日、太陽誘電からBluetoothおよび、ワイヤレスLANモジュールにかかわる商標、開発・製造技術、知的財産権を承継し、無線モジュール事業に参入し、受注を開始したと発表した。…

今回からは、異種のデバイスを集積化する技術に関する講演部分を説明していく。まずは、放熱技術について解説する。

EE Times Japanに掲載した記事で、2021年を振り返ってみました。

Intel「i4004」誕生から50年という節目となった2021年。今回は、第12世代の「Core」シリーズを中心に、IntelとAMDのプロセッサの分析結果／考察をお伝えする。

本シリーズでは、STEM教育の中でも特にプログラミング教育を取り上げてきましたが、やはり課題（ツッコミどころ）は満載です。それでも、いろいろと調べていくうちに、いくつかの光明も見えてきました。…

NECファシリティーズは、ルネサス セミコンダクタ マニュファクチュアリング西条工場（以下、ルネサス西条工場）におけるフッ素含有廃水処理の環境負荷低減施策を、栗田工業と連携して実施した。…

物質・材料研究機構（NIMS）を中心とした国際共同研究チームは、チャネル長がわずか2.8nmのカーボンナノチューブ（CNT）トランジスタを開発し、室温で量子輸送が可能であることを実証した。…

STマイクロエレクトロニクスは、GaN（窒化ガリウム）パワー半導体の新しい製品ファミリとして「G-HEMT」および、「G-FET」を発表した。新製品は民生機器や産業機器、車載機器向け電源の高効率化や小型化を可能にする。…